橢偏儀 FE-5000/5000S

產(chǎn)品簡介
●可在紫外和可見（250至800nm）波長區(qū)域中測量橢圓參數(shù)

●可分析納米級多層薄膜的厚度

●可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜

●通過可變反射角測量，可詳細分析薄膜

●通過創(chuàng)建光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能，增強操作便利性

●通過層膜貼合分析的光學常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質(zhì)量

產(chǎn)品型號：

更新時間：2025-06-24

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問量：526

產(chǎn)品咨詢 18117546256

產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

光譜系統(tǒng)

顯微缺陷膜厚半導體晶圓缺陷檢測儀高光譜測試系統(tǒng) 瞬態(tài)吸收系統(tǒng) 太陽能電池量子效率太陽光模擬器IV系統(tǒng) 顯微光電流成像系統(tǒng) 探測器光響應度系統(tǒng) 光譜變溫附件探針臺拉曼SERS增強試劑顯微熒光系統(tǒng) 組合熒光系統(tǒng) 鏡頭透過率測試系統(tǒng) 漫反射率測試系統(tǒng) 反射、吸收率系統(tǒng) 成像亮度計標準燈參考輻射定標電致發(fā)光系統(tǒng) 常規(guī)發(fā)射光譜系統(tǒng) 共聚焦拉曼光譜儀

詳細介紹在線留言

產(chǎn)品信息

測量項目

測量橢圓參數(shù)（TANψ，COSΔ）

光學常數(shù)（n：折射率，k：消光系數(shù)）分析

薄膜厚度分析

用途

半導體晶圓
柵氧化膜，氮化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN
光學常數(shù)（波長色散）

復合半導體
AlxGa（1-x）多層膜、非晶硅

FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等

各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導薄膜、磁頭薄膜

光學薄膜
TiO2，SiO2多層膜、防反射膜、反射膜

光刻領域
g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長的n、k評估

原理

包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù)，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
橢偏儀 FE-5000/5000S

產(chǎn)品規(guī)格

型號	FE-5000S	FE-5000
測量樣品	反射測量樣品
樣品尺寸	100×100毫米	200×200毫米
測量方法	旋轉分析儀方法*1
測量膜厚范圍（ND）	0.1納米-
入射（反射）的角度范圍	45至90°	45至90°
入射（反射）的角度驅(qū)動方式	自動標志桿驅(qū)動方法
入射點直徑*2	關于φ2.0	關于φ1.2sup*3
tanψ測量精度	±0.01以下
cosΔ測量精度	±0.01以下
薄膜厚度的可重復性	0.01％以下*4
測定波長范圍*5	300至800納米	250至800納米
光譜檢測器	多色儀（PDA，CCD）
測量用光源	高穩(wěn)定性氙燈*6
平臺驅(qū)動方式	手動	手動/自動
裝載機兼容	不可	可
尺寸，重量	650（W）×400（D）×560（H）mm 約50公斤	1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350公斤*7
軟件
分析	最小二乘薄膜分析（折射率模型函數(shù)，Cauchy色散方程模型方程，nk-Cauchy色散模型分析等）理論方程分析（體表面nk分析，角度依賴同時分析）

*1可以驅(qū)動偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸?角度。
*3對應微小點（可選）
*4它是使用VLSI標準SiO2膜（100nm）時的值。
*5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。
*6光源因測量波長而異。
*7選擇自動平臺時的值。

測量示例

以梯度模型分析ITO結構[FE-0006]

作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫），在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導電性和色調(diào)。此時，氧氣狀態(tài)和結晶度也發(fā)生變化，但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的，不能將其視為具有光學均勻組成的單層膜。
以下介紹對于這種類型的ITO，通過使用梯度模型，從上界面和下界面的nk測量斜率。

橢偏儀 FE-5000/5000S

考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]

當樣品表面存在粗糙度（Roughness）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層"，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。

使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]

有機EL材料易受氧氣和水分的影響，并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此，在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

橢偏儀 FE-5000/5000S

使用多點相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]

為了通過擬合最小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk。如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出精確的d。在這種情況下，測量不同d的多個樣本，假設nk是相同的，并進行同時分析（多點相同分析），則可以高精度、精確地求出nk和d。

橢偏儀 FE-5000/5000S